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전력 변환 설계에 SiC 및 GaN을 사용하고 계십니까?

더 나은 제품을 설계할 수 있습니다. 시장 출시 기간을 단축할 수 있습니다.

전력 변환 설계의 시장 출시 기간 단축

SiC 및 GaN과 같은 시장 트랜드에서는 패시브(인덕션(induction) 및 커패시턴스) 구성 요소 크기를 줄이기 위해 스위칭 속도가 보다 빠른 전력 변환 회로에 새로운 복잡성이 추가되므로 회로 타이밍이 정확해야 합니다. 게이트 임계값 전압 및 타이밍에 대한 보다 높은 감도를 처리해야 합니다. 또한 보다 높은 스위칭 주파수로 인한 EMI/EMC 문제를 위해 보다 강력한 PCB 설계가 필요합니다.

커먼 모드(common mode) 고전압 해결

플로팅 디퍼런셜 측정(예: 높은 쪽 Vgs)은 높은 주파수와 커먼 모드 고전압(예: Vds)으로 인해 까다롭거나 불가능합니다. 이는 오실로스코프 프로브가 높은 대역폭에서 커먼 모드를 충분히 제거할 수 없기 때문입니다. 커먼 모드 제거가 불량하면 측정이 실제 디퍼런셜 신호 대신 커먼 모드 오류의 영향을 받게 됩니다.

Tektronix에는 GaN 및 SiC 장치의 작동 요구 사항에서 주파수에 따라 감소되지 않는 절연 프로브(ISOVu)를 제공하는 유일한 솔루션이 있으므로 정확한 디퍼런셜 측정이 가능합니다. 따라서 전도 손실, 데드 타임(dead time) 손실 및 스위칭 손실을 정확하게 계산하고 검증할 수 있습니다. 또한 통합 게이트 드라이버를 사용하지 않는 경우 플로팅 디퍼런셜 측정 기능을 통해 장치를 켜고 끄는 동안 데드 타임을 정확하게 측정 및 제어할 수 있습니다. 뿐만 아니라 이제 하드 스위칭 동안 생성되는 과도 전압(dv/dt) 및 전류로 인한 전력 변환기의 고주파수 방출에 대한 과대평가를 방지할 수 있습니다.

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IsoVu를 사용하여 측정 오류의 일반적인 원인을 해결할 수 있습니다.

여러 제어 및 타이밍 신호를 동시에 측정

고주파수 SiC 및 GaN 장치에서 스위칭 및 전도 손실을 정확하고 반복 가능하게 측정하려면 해상도, 여러 acquisition averaging 및 복잡한 waveform math이 필요합니다. 전력 품질, 고조파, 안전 동작 영역 및 스위칭 손실에 대한 자동화된 측정을 수행해야 합니다. 5-PWR 및 프로빙 솔루션을 갖춘 5 시리즈 MSO 오실로스코프는 문제 해결 기능과 함께 자동화된 측정 기능을 제공합니다.

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시간 및 제어 신호에 대한 측정 포인트

보다 빠른 자동 전력 측정

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스위칭 손실은 FET에서 전력 손실을 나타냅니다. 파형은 결과 배지의 값에 해당하는 Ton, Toff 및 전체 사이클의 측정 영역을 나타내는 컬러 코딩(color-coded) 마커로 표시됩니다. 결과 배지의 컨트롤을 사용하여 사이클 간에 쉽게 이동할 수 있습니다.

고주파수 SiC 및 GaN 장치에서 스위칭 및 전도 손실을 정확하고 반복 가능하게 측정하려면 해상도, 여러 acquisition averaging 및 복잡한 waveform math이 필요합니다. 전력 품질, 고조파, 안전 동작 영역 및 스위칭 손실에 대한 자동화된 측정을 수행해야 합니다. 5-PWR 및 프로빙 솔루션을 갖춘 5 시리즈 MSO 오실로스코프는 문제 해결 기능과 함께 자동화된 측정 기능을 제공합니다.

컴플라이언스의 성공적 이행

전력 효율성, 대기 전력 및 EMI에 대한 규정과 시장 요구 사항이 점점 엄격해지고 있습니다. 이제 조기 사전 컴플라이언스를 수행하는 것이 이후 컴플라이언스를 통과하고, 설계가 컴플라이언스를 이행하지 못했을 때 시장 출시 기간 및 비용을 줄이는 데 점점 중요해지고 있습니다. 따라서 자동화되고 정확한 전력 효율성, 고조파 및 대기 사전 컴플라이언스를 위해 사전 컴플라이언스 소프트웨어가 탑재된 파워 애널라이저가 필요합니다. 또한 쉽고 정확한 EMI 사전 컴플라이언스를 위해 사전 컴플라이언스 소프트웨어가 탑재된 스펙트럼 애널라이저도 필요합니다.

EMI-Precom-testing

경제적인 사전 컴플라이언스 테스트를 손쉽게 설정하여 잠재적 문제를 파악할 수 있으므로 비용이 많이 드는 컴플라이언스 테스트 시설에서 소요되는 테스트 시간을 최소화할 수 있습니다.