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전력 효율성

실험실과 웨이퍼 테스트 환경에서 안전하고 정확하며 빠른 Si, SiC, GaN MOSFET 테스트를 보장합니다. SiC 및 GaN을 설계에 도입함으로써 발생하는 테스트 문제와 이를 해결하는 방법에 대해 자세히 알아봅니다. 최종 제품의 전력 드로우(power draw)를 최소화하고 배터리 수명을 극대화하는 방법을 알아봅니다. 설계에 대한 시장 출시 기간을 단축합니다.

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전력 장치 특성화

  • Si, SiC 및 GaN 장치에 대한 안전하고, 정확하고, 빠른 MOSFET 테스트
  • 광범위한 전력 엔벨로프(envelope)
  • 안전하게 테스트 설정
  • 시장 출시 기간을 단축하는 2배 빠른 장치 특성화
  • 광대역 밴드갭 장치의 비용이 많이 드는 과도한 설계 방지
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자동 파라메트릭(Parametric) 테스트

  • 전자동 HV 웨이퍼 레벨 테스트
  • 테스트 설정을 변경하지 않고도 고전압에서 저전압으로 전환
  • 수동 재구성 없이 커패시턴스(capacitance) 측정 빠른 자동화
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고속 스위칭 파워 일렉트로닉스 설계

  • 커먼 모드(common mode) 고전압 해결
  • 여러 제어 및 타이밍 신호를 동시에 측정
  • 보다 빠른 자동 전력 측정
  • 적합성 테스트 요구 조건 만족
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IoT 장치의 배터리 수명 최대화

  • 부하 전류 프로필 확인
  • 모든 배터리 시뮬레이션
  • 모든 배터리 유형 모델링

제어 루프 분석

  • 오실로스코프 기반 응답 측정 설정
  • 제어 루프 측정을 위한 프로브 특성화
  • 보드 플롯을 이용한 안정성 마진 측정
  • 제어 루프 분석 시스템

파워 서플라이 측정 및 분석

  • 스위칭 손실 측정 및 분석
  • 회로 내 인덕터 및 변압기 측정
  • GaN 및 SiC 스위칭 장치 측정
  • SOA(안전 동작 영역)
  • 파워 서플라이 제거비
  • 제어 루프 응답

PDN에서의 전원 무결성 분석

  • DC를 차단하지 않고 고주파 리플 측정
  • 1V~48V 이상의 파워 서플라이 처리
  • 측정 시스템 노이즈 영향 최소화
  • PDN 임피던스 측정
  • 동기화된 스펙트럼과 파형을 이용한 노이즈 찾기
  • 자동 파워 레일 측정

전력 효율성의 트랜드

Tektronix의 엔지니어가 전력 효율성이 어느 때보다 중요한 설계 고려 사항이 된 이유에 대한 견해를 공유합니다.

"올해는 상용 제품이 다수 출시됨으로써 탄화규소 기술의 중대한 변곡점이 발생한 해입니다."

텍트로닉스, Pat Hensley

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