전력 효율성

실험실 및 웨이퍼 테스트 환경에서 안전하고 정확하고 빠른 Si, SiC 및 GaN MOSFET 테스트를 보장합니다. SiC 및 GaN을 설계에 도입함으로 인해 발생하는 테스트 문제 및 이를 해결하는 방법에 대해 자세히 알아봅니다. 최종 제품의 전력 드로우(power draw)를 최소화하고 배터리 수명을 극대화하는 방법을 알아봅니다. 설계에 대한 시장 출시 기간을 단축합니다.

전력 장치 특성화

  • Si, SiC 및 GaN 장치에 대한 안전하고, 정확하고, 빠른 MOSFET 테스트
  • 광범위한 전력 엔벨로프(envelope)
  • 안전하게 테스트 설정
  • 시장 출시 기간을 단축하는 2배 빠른 장치 특성화
  • 광대역 밴드갭 장치의 비용이 많이 드는 과도한 설계 방지

자동 파라메트릭(Parametric) 테스트

  • 전자동 HV 웨이퍼 레벨 테스트
  • 테스트 설정을 변경하지 않고도 고전압에서 저전압으로 전환
  • 수동 재구성 없이 커패시턴스(capacitance) 측정 빠른 자동화

전력 변환 설계의 시장 출시 기간 단축

  • 커먼 모드(common mode) 고전압 해결
  • 여러 제어 및 타이밍 신호를 동시에 측정
  • 보다 빠른 자동 전력 측정
  • 컴플라이언스의 성공적 이행

IoT 장치의 배터리 수명 최대화

  • 부하 전류 프로필 확인
  • 모든 배터리 시뮬레이션
  • 모든 배터리 유형 모델링

전력 효율성의 트랜드

Tektronix의 엔지니어가 전력 효율성이 어느 때보다 중요한 설계 고려 사항이 된 이유에 대한 견해를 공유합니다. 이 페이지를 북마크에 추가하여 정기적으로 업데이트하십시오.

“Tektronix의 엔지니어가 전력 효율성이 어느 때보다 중요한 설계 고려 사항이 된 이유에 대한 견해를 공유합니다. 이 페이지를 북마크에 추가하여 정기적으로 업데이트하십시오.”

Tom Neville, Tektronix

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