실리콘 기반 화합물 반도체, 태양 전지용 박막 및 기타 나노급 소재 등 미래 지향적 소재나 장치를 개발 중인 경우 반도체 기술, 전자, 의료 장치, 의료 서비스 등의 새로운 적용 분야에서 획기적인 기능을 제공하는 데 선도적인 역할을 하고 있다고 할 수 있습니다. 텍트로닉스는 이와 같은 고급 소재의 정확한 전기 특성화를 위한 다음과 같은 최신 혁신 기능과 기술을 제공합니다.

  • 전기 화학 특성화
  • 나노급 소재 측정
  • 그래핀 장치 구조의 홀 효과 테스트
  • 복합 반장치/소재의 펄스 I-V 테스트
  • 집속 이온 빔 전류 모니터링
  • 나노크리스탈 특성화
  • 태양 전지 C-V 특성화
  • 반도체 파라미터 분석
  • 초 저전류 측정

신소재 및 장치의 전기 특성화를 위한 텍트로닉스의 포괄적인 솔루션을 사용하면 더욱 심층적인 기술을 개발하여 해당 분야를 획기적으로 변화시키는 데 일조할 수 있습니다.

라이브러리

Title
Performing Cyclic Voltammetry Measurements Using 2450-EC or 2460-EC Electrochemistry Lab Systems

This application note outlines using either a 2450-EC or 2460-EC Electrochemistry Lab System to perform cyclic voltammetry using the built-in test script and electrochemistry translation cable accessory kit.

Leakage Current and Insulation Resistance Measurements
Characterizing Nanoscale Devices with Differential Conductive Measurements

With appropriate instrumentation, the four-wire source current/measure voltage method is a great improvement over older differential conductance measurements, which are slow, noisy, and complex.  The new technique's single sweep shortens hours of data collection to a few minutes, while improving accuracy.

Hall Effect Measurements Essential for Characterizing High Carrier Mobility
Electrical Characterization of Carbon Nanotube Transistors (CNT FETs) with the Model 4200-SCS Semiconductor Characterization System
Four-Probe Resistivity and Hall Voltage Measurements with the Model 4200-SCS
Resistivity Measurements Using the Model 2450 SourceMeter SMU Instrument and a Four-Point Collinear Probe
Making High Resistance Measurements on Small Crystals in Inert Gas or High Vacuum w/ the Model 6517A
Title
Tips and Techniques to Simplify MOSFET/MOSCAP Device Characterization

This webinar presents a new process that makes characterization and parameter extraction easier and quicker. We'll be discussing the extraction of common parameters as well as which tests to run to get the most information about your device.

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